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A2V09H400-04N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

A2V09H400-04N
廠商型號

A2V09H400-04N

參數(shù)屬性

A2V09H400-04N 封裝/外殼為OM-780-4L;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

功能描述

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

封裝外殼

OM-780-4L

文件大小

394.88 Kbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-21 18:26:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    A2V09H400-04NR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    720MHz ~ 960MHz

  • 增益:

    17.9dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    107W

  • 封裝/外殼:

    OM-780-4L

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    OM-780-4L

  • 描述:

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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