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A2V07H400-04NR3

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

Features ?Advancedhighperformancein--packageDoherty ?Greaternegativegate--sourcevoltagerangeforimprovedClassC operation ?Designedfordigitalpredistortionerrorcorrectionsystems

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2V07H400-04NR3

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

A2V07H400-04NR3

Package：OM-780G-4L；包裝：帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

A2V07H400-04NR3_V01

N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

Features ?Advancedhighperformancein--packageDoherty ?Greaternegativegate--sourcevoltagerangeforimprovedClassC operation ?Designedfordigitalpredistortionerrorcorrectionsystems

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    A2V07H400-04NR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    帶

  • 晶體管類型：

    LDMOS（雙）

  • 頻率：

    595MHz ~ 851MHz

  • 增益：

    19.9dB

  • 額定電流（安培）：

    10μA

  • 功率 - 輸出：

    267W

  • 封裝/外殼：

    OM-780G-4L

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    OM-780G-4L

  • 描述：

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NXP USA Inc.
24+
OM-780G-4L
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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房間現(xiàn)貨庫(kù)存:QQ:373621633
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NXP USA Inc.
2022+
OM-780-4L
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全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
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NXP(恩智浦)
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更多A2V07H400-04NR3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-21 18:53:00

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