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A2T18H410-24S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
A2T18H410-24S |
| 參數(shù)屬性 | A2T18H410-24S 封裝/外殼為NI-1230-4LS2L；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC TRANS RF LDMOS |
| 功能描述 | N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET |
| 封裝外殼 | NI-1230-4LS2L |
| 文件大小 |
589.1 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名稱 | 恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-18 10:04:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
A2T18H410-24SR6
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS（雙）
- 頻率：
1.81GHz
- 增益：
17.4dB
- 功率 - 輸出：
71W
- 封裝/外殼：
NI-1230-4LS2L
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-1230-4LS2L
- 描述：
IC TRANS RF LDMOS
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
2023+ |
NI-1230-4LS2L |
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