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865--960 MHz, 28 W AVG., 28 V SINGLE W--CDMA LATERAL N--CHANNEL RF POWER MOSFET
Designed for CDMA base station applications with frequencies from 865 to 960 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.
? Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 750 mA, Pout = 28 Watts Avg., IQ Magnitude Clipping, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01 Probability on CCDF.
? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 32 Vdc, 940 MHz, 144 Watts CW Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout), Designed for Enhanced Ruggedness
? Typical Pout @ 1 dB Compression Point ? 100 Watts CW
Features
? 100 PAR Tested for Guaranteed Output Power Capability
? Characterized with Series Equivalent Large--Signal Impedance Parameters and Common Source S--Parameters
? Internally Matched for Ease of Use
? Integrated ESD Protection
? Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation
? Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
? Optimized for Doherty Applications
? 225°C Capable Plastic Package
? RoHS Compliant
? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 32 mm Tape Width, 13 inch Reel.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
9C12063A10R0FKHFT
- 功能描述：
RES 10.0 OHM 1/4W 1% 1206 SMD
- RoHS：
否
- 類(lèi)別：
電阻器 >> 芯片電阻 - 表面安裝
- 系列：
RC1206
- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：
Chip Resistor
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
5,000
- 系列：
RT
- 電阻（歐姆）：
95.3
- 功率（瓦特）：
0.1W，1/10W
- 復(fù)合體：
薄膜
- 特點(diǎn)：
-
- 溫度系數(shù)：
±50ppm/°C
- 容差：
±1%
- 封裝/外殼：
0603（1608 公制）
- 尺寸/尺寸：
0.063 L x 0.031 W（1.60mm x 0.80mm）
- 高度：
0.022（0.55mm）
- 端子數(shù)：
2
- 包裝：
帶卷(TR)
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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