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7413WS	文件：154.43 Kbytes Page：2 Pages	MachFlex?,61GC#18StrBC,PVC-NYLIns,OATCBrd,TPEJkt,1000VWTTC,600VTC-ER ProductDescription MachFlex?forHighFlex,6+1GConductor18AWG(16x30)BareCopper,PVC-NYLInsulation,OverallTinnedCopperBraid(85)Shield,TPEOuterJacket, 1000VWTTC,600VTC-ER	BELDENBelden Inc. 百通電纜設計科技有限公司	BELDEN
AM7413P	文件：409.49 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power	AnalogPower
AO7413	文件：219.28 Kbytes Page：5 Pages	20VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AO7413	文件：114.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO7413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V,inthesmallSOT323footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
AO7413L	文件：114.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO7413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V,inthesmallSOT323footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導體美國萬國半導體	AOSMD
HD7413	文件：143.51 Kbytes Page：4 Pages	TTLHD74/HD74SSeries	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
IRF7413	文件：422.14 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Application Features VDS(V)=30V RDS(ON)12m(VGS=10V) RDS(ON)17m(VGS=4.5V)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司(簡稱UMW?)	UMW
IRF7413	文件：1.84902 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=12A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
IRF7413	文件：123.19 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Id=12A) SMPSMOSFET Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413	文件：394.37 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET Application GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRF7413A	文件：116.16 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.0135ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413GPBF	文件：264.75 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413GTRPBF	文件：264.75 Kbytes Page：9 Pages	GenerationVTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413PBF	文件：211.18 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413PBF	文件：263.63 Kbytes Page：9 Pages	ULTARLOWONRESISTANCE	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413QPBF	文件：257.48 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheseHEXFET?PowerMOSFETsinSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveaval	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413TR	文件：422.14 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Application Features VDS(V)=30V RDS(ON)12m(VGS=10V) RDS(ON)17m(VGS=4.5V)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司(簡稱UMW?)	UMW
IRF7413TR	文件：244.97 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance SMPSMOSFET Benefits ?LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses ?FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ?FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ?HighfrequencyDC-DCconverters	IRF International Rectifier	IRF
IRF7413TR	文件：394.37 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET Application GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
IRF7413TRPBF	文件：1.89771 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司	VBSEMI

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