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71V67603S150PFG8集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
71V67603S150PFG8 |
| 參數(shù)屬性 | 71V67603S150PFG8 封裝/外殼為100-LQFP；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP |
| 功能描述 | 256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect |
| 封裝外殼 | 100-LQFP |
| 文件大小 |
302.92 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
23 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
RENESAS【瑞薩】 |
| 中文名稱(chēng) | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-4-1 10:18:00 |
| 人工找貨 | 71V67603S150PFG8價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多71V67603S150PFG8規(guī)格書(shū)詳情
Features
◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations
◆ Supports high system speed:
– 166MHz 3.5ns clock access time
– 150MHz 3.8ns clock access time
– 133MHz 4.2ns clock access time
◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte
write enable (BWE), and byte writes (BWx)
◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode
◆ 3.3V core power supply
◆ Power down controlled by ZZ input
◆ 3.3V I/O supply (VDDQ)
◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad
flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch
ball grid array (fBGA).
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
71V67603S150PFG8
- 制造商：
Renesas Electronics America Inc
- 類(lèi)別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
卷帶（TR）
- 存儲(chǔ)器類(lèi)型：
易失
- 存儲(chǔ)器格式：
SRAM
- 技術(shù)：
SRAM - 同步，SDR
- 存儲(chǔ)容量：
9Mb（256K x 36）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 電壓 - 供電：
3.135V ~ 3.465V
- 工作溫度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安裝類(lèi)型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
100-LQFP
- 供應(yīng)商器件封裝：
100-TQFP（14x14）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
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