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71V67603S133BQ集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

71V67603S133BQ
廠商型號

71V67603S133BQ

參數(shù)屬性

71V67603S133BQ 封裝/外殼為165-TBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

功能描述

256K X 36, 512K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs, Single Cycle Deselect

封裝外殼

165-TBGA

文件大小

302.92 Kbytes

頁面數(shù)量

23

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-14 13:04:00

71V67603S133BQ規(guī)格書詳情

Features

◆ 256K x 36, 512K x 18 memory configurations

◆ Supports high system speed:

– 166MHz 3.5ns clock access time

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

◆ Self-timed write cycle with global write control (GW), byte

write enable (BWE), and byte writes (BWx)

◆ LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆ 3.3V core power supply

◆ Power down controlled by ZZ input

◆ 3.3V I/O supply (VDDQ)

◆ Packaged in a JEDEC Standard 100-pin thin plastic quad

flatpack (TQFP), 119 ball grid array (BGA) and 165 fine pitch

ball grid array (fBGA).

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    71V67603S133BQ

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    易失

  • 存儲器格式:

    SRAM

  • 技術(shù):

    SRAM - 同步,SDR

  • 存儲容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 電壓 - 供電:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    165-TBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    165-CABGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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