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71V416S15BEI

Package：48-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA

Renesas Electronics America Inc

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Renesas Electronics America Inc

71V416S15BEI8

Package：48-TFBGA；包裝：卷帶（TR） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

Renesas Electronics America Inc

71V416S15PHG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S15PHG

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S15PHGI

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S15YG

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

71V416S15YGI

3.3VCMOSStaticRAM

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416S15BEG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416S15BEGI

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

IDT71V416S15PHG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(256Kx16-Bit)

Description TheIDT71V416isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas256Kx16.Itisfabricatedusinghigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhigh-

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    71V416S15BEI

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    4Mb（256K x 16）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    15ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-CABGA（9x9）

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48CABGA

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更多71V416S15BEI供應(yīng)商 更新時間2025-2-28 15:26:00

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