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7164S20YG8

CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit)

Features ◆High-speedaddress/chipselectaccesstime –Commercial:20/25ns(max.) –Industrial:20/25ns(max.) –Military:20/25/35/45/55/70/85/100ns(max.) ◆Lowpowerconsumption ◆Batterybackupoperation–2Vdataretentionvoltage (LVersiononly) ◆ProducedwithadvancedCMOShigh-p

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S20YG8

CMOS Static RAM 64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

7164S20YG8

包裝：管件 封裝/外殼：28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬） 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

7164S20YG88

CMOS Static RAM 64K

IDT

Integrated Device Technology, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    7164S20YG8

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術：

    SRAM - 異步

  • 存儲容量：

    64Kb（8K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    20ns

  • 電壓 - 供電：

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    28-BSOJ（0.300"，7.62mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    28-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多7164S20YG8供應商 更新時間2024-10-28 10:31:00

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