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6ED2231S12TXUMA1

1200 V Three Phase Gate Driver for IGBT/SiC with Integrated Bootstrap Diode and OCP

Features ?InfineonThin-Film-SOItechnology ?Fullyoperationalto+1200V ?OptimizedforIGBT(insulatedgatebipolartransistor) /SiC(Siliconcarbide)MOSFET ?IntegratedUltra‐fastBootstrapDiode ?Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation ?Outputsource/sinkcurrentcapabil

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多6ED2231S12TXUMA1供應(yīng)商 更新時間2025-1-10 14:00:00

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