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600F4R3BT250XT

Ultra-Low ESR, High Q, NPO RF Microwave Capacitors

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600F4R3BT250XT

RF Power LDMOS Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

600F4R3BT250XT

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:0805(2012 公制) 類別:電容器 陶瓷電容器 描述:CAP CER 4.3PF 250V C0G/NP0 0805

ATC

American Technical Ceramics Corp

600F4R3BT250XT

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼:0805(2012 公制) 類別:電容器 陶瓷電容器 描述:CAP CER 4.3PF 250V C0G/NP0 0805

ATC

American Technical Ceramics Corp

ATC600F4R3BT250XT

N-ChannelEnhancement-ModeLateralMOSFET

Features ?Advancedhighperformancein--packageDoherty ?Greaternegativegate--sourcevoltagerangeforimprovedClassC operation ?Designedfordigitalpredistortionerrorcorrectionsystems

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

ATC600F4R3BT250XT

RFPowerLDMOSTransistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    600F4R3BT250XT

  • 制造商:

    American Technical Ceramics

  • 類別:

    電容器 > 陶瓷電容器

  • 系列:

    ATC 600F

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 容差:

    ±0.1pF

  • 電壓 - 額定:

    250V

  • 溫度系數(shù):

    C0G,NP0

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C

  • 特性:

    高 Q 值,低損耗,超低 ESR

  • 應用:

    射頻,微波,高頻,旁通,去耦

  • 安裝類型:

    表面貼裝,MLCC

  • 封裝/外殼:

    0805(2012 公制)

  • 大小 / 尺寸:

    0.079" 長 x 0.049" 寬(2.01mm x 1.24mm)

  • 厚度(最大值):

    0.051"(1.30mm)

  • 描述:

    CAP CER 4.3PF 250V C0G/NP0 0805

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多600F4R3BT250XT供應商 更新時間2024-12-28 10:00:00