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55GN01CA-TB-E

RF Transistor

RFTransistor 10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleCP Features ?Highcutofffrequency:fT=5.5GHztyp ?Highgain:?S21e?2=9.5dBtyp(f=1GHz)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

55GN01CA-TB-E

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

55GN01FA

UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications

SANYOSanyo

三洋三洋電機株式會社

55GN01FA

RFTransistor10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleSSFP

RFTransistor 10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleSSFP Features ?Highcut-offfrequency:fT=5.5GHztyp ?Highgain:?S21e?2=11dBtyp(f=1GHz) =19dBtyp(f=400MHz) ?Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim ?Halogenfreecompliance

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

55GN01FA

UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications

UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications Features ?Highcut-offfrequency:fT=5.5GHztyp ?Highgain:?S21e?2=11dBtyp(f=1GHz) =19dBtyp(f=400MHz) ?Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim ?Halogenfreecompliance

SANYOSanyo

三洋三洋電機株式會社

55GN01M

UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications

UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications Features ?Highcutofffrequency:fT=5.5GHztyp. ?Highgain:|S21e|2=10dBtyp(f=1GHz).

SANYOSanyo

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55GN01MA

UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications

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55GN01MA

RFTransistor10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleMCP

RFTransistor10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleMCP Features ?Highcut-offfrequency:fT=5.5GHztyp ?Highgain:?S21e?2=10dBtyp(f=1GHz)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

55GN01MA

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorUHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications

UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications Features ?Highcut-offfrequency:fT=5.5GHztyp ?Highgain:?S21e?2=10dBtyp(f=1GHz)

SANYOSanyo

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55GN01MA-TL-E

RFTransistor

RFTransistor10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleMCP Features ?Highcut-offfrequency:fT=5.5GHztyp ?Highgain:?S21e?2=10dBtyp(f=1GHz)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

55GN01MA-TL-E

RFTransistor10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleMCP

RFTransistor10V,70mA,fT=5.5GHz,NPNSingleMCP Features ?Highcut-offfrequency:fT=5.5GHztyp ?Highgain:?S21e?2=10dBtyp(f=1GHz)

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

55GN01NA

UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications

UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications Features ?Highcutofffrequency:fT=5.5GHztyp. ?Highgain:?S21e?2=7dBtyp(f=1GHz). =13dBtyp(f=400MHz).

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55GN01S

UHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications

SANYOSanyo

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55GN01SA

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorUHFWide-bandLow-noiseAmplifierApplications

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ?Highcutofffrequency:fT=5.5GHztyp. ?Highgain:?S21e?2=10dBtyp(f=1GHz). ?Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim.

SANYOSanyo

三洋三洋電機株式會社

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    55GN01CA-TB-E

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    10V

  • 頻率 - 躍遷：

    4.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.9dB @ 1GHz

  • 增益：

    9.5dB

  • 功率 - 最大值：

    200mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    100 @ 10mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    70mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    3-CP

  • 描述：

    RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
23+
CP-3
3022
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
 詢價
ON/安森美
20+
SOT-23
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢價
ON(安森美)
23+
13698
公司只做原裝正品,假一賠十
 詢價
ON/安森美
SMD
23+
6000
專業(yè)配單原裝正品假一罰十
 詢價
ON/安森美
24+
SOT23
7906200
一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系
 詢價
ON
2024
SOT23
58209
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量
 詢價
SANYO
2020+
SOT23-3
3000
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
ON
2016+
SOT23
27000
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票!
 詢價
ON
SOT23
37526
只做原裝貨值得信賴
 詢價
ONSemiconductor
18+
NA
3901
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
 詢價
更多55GN01CA-TB-E供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 23:00:00

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