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4X16E83VTW-6

4 MEG x 16 EDO DRAM

[MEMPHIS] GENERALDESCRIPTION The4Megx16DRAMisahigh-speedCMOS,dynamicrandom-accessmemorydevicecontaining67,108,864bitsanddesignedtooperatefrom3Vto3.6V.Thedeviceisfunctionallyorganizedas4,194,304locationscontaining16bitseach.The4,194,304memorylocationsare

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    4X16E83VTW-6

  • 功能描述：

    4 MEG x 16 EDO DRAM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多4X16E83VTW-6供應(yīng)商 更新時間2024-11-15 10:35:00

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