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2SK3561中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SK3561
廠商型號(hào)

2SK3561

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)

文件大小

227.46 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-8 20:38:00

2SK3561規(guī)格書詳情

Switching Regulator Applications

? Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.75 ? (typ.)

? High forward transfer admittance: |Yfs| = 6.5 S (typ.)

? Low leakage current: IDSS = 100 μA (VDS = 500 V)

? Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SK3561

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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