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2SK3501-01	文件：103 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Features Highspeedswitching Lowon-resistance Nosecondarybreadown Lowdrivingpower Avalanche-proof Applications Switchingregulators UPS(UninterruptiblePowerSupply) DC-DCconverters	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
2SK3502	文件：113.5 Kbytes Page：4 Pages	N CHANNEL SILICON POWER MOSET ■Features Highspeedswitching Lowon-resistance Nosecondarybreadown Lowdrivingpower Avalanche-proof ■Applications Switchingregulators UPS(UninterruptiblePowerSupply) DC-DCconverters	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
2SK3502-01MR	文件：109.96 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET ■Features Highspeedswitching Lowon-resistance Nosecondarybreadown Lowdrivingpower Avalanche-proof ■Applications Switchingregulators UPS(UninterruptiblePowerSupply) DC-DCconverters	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
2SK3503	文件：114.28 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING DESCRIPTION The2SK3503isanN-channelverticalMOSFET.Becauseitcanbedrivenbyavoltageaslowas1.5Vanditisnotnecessarytoconsideradrivecurrent,thisFETisidealasanactuatorforlow-currentportablesystemssuchasheadphonestereosandvideocameras. FEATURES ?Automati	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
2SK3503	文件：1.18401 Mbytes Page：3 Pages	N-Channel MOSFET ■Features ●VDS(V)=16V ●ID=100mA(VGS=1.5V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SK3503	文件：247.9 Kbytes Page：7 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FORHIGHSPEEDSWITCHING DESCRIPTION The2SK3503isanN-channelverticalMOSFET.Becauseitcanbe drivenbyavoltageaslowas1.5Vanditisnotnecessarytoconsider adrivecurrent,thisFETisidealasanactuatorforlow-currentportable syst	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3506	文件：164.65 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type RelayDriveandDC-DCConverterApplications MotorDriveApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=16m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=26S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(max)(VDS=30V) ?Enhancement-model:Vth=1.5to3.0V(VDS=10V,	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SK3506	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
2SK3507	文件：46.77 Kbytes Page：1 Pages	MOS Field Effect Transistor FEATURES ●4.5Vdriveavailable ●Lowon-stateresistance RDS(on)1=45m?MAX.(VGS=10V,ID=11A) ●Lowgatecharge QG=8.5nCTYP.(VDD=24V,VGS=10V,ID=22A) ●Built-inG-Sprotectiondiode ●Surfacemountpackageavailable	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
2SK3507	文件：143.55 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The2SK3507isN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,designedforlowvoltagehighcurrentapplicationssuchasDC/DCconverterwithsynchronousrectifier FEATURES ?4.5Vdriveavailable ?Lowon-stateresistance	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
2SK3507	文件：306.47 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3507isN-channelMOSFETdevicethatfeatures alowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics, designedforlowvoltagehighcurrentapplicationssuchasDC/DC converterwithsynchronousrectifier. FEATURES ?4.5V	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3507-ZK	文件：143.55 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION The2SK3507isN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,designedforlowvoltagehighcurrentapplicationssuchasDC/DCconverterwithsynchronousrectifier FEATURES ?4.5Vdriveavailable ?Lowon-stateresistance	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社	NEC
2SK3507-ZK	文件：306.47 Kbytes Page：10 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3507isN-channelMOSFETdevicethatfeatures alowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics, designedforlowvoltagehighcurrentapplicationssuchasDC/DC converterwithsynchronousrectifier. FEATURES ?4.5V	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
2SK3501	文件：333.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SK3501-01	文件：111.73 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
2SK3501-01	文件：1.10595 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
2SK3501-01_03	文件：111.73 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FujiFuji Electric 富士電機(jī)富士電機(jī)株式會社	Fuji
2SK3502-01MR	文件：324.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SK350-3PI	文件：168.22 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SK3504	文件：332.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC

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詳細(xì)參數(shù)

型號：
2SK350
制造商：
Fuji Electric
功能描述：
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 600V;RDS(ON) 0.58Ohm;ID +/-12A;TO-220AB;PD 195W;VGS +/-3

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	2SK3501-01	FUJI/富士電機(jī)	17+	TO-220	31518	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	2SK3501-01	FUJI	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
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深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	2SK3501-01	FUJI	1822+	TO-220AB	9852	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!	詢價(jià)
深圳市賽芯源科技有限公司	2SK3501-01	FUJI	18+	TO-220AB	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)	詢價(jià)
上海市鑫鴻達(dá)電子	2SK3501-01	Fuji Semiconductor	2022+		1	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	2SK3501-01	FUJI	2020+	TO-220AB	16800	絕對原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢!?	詢價(jià)
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更多2SK350供應(yīng)商更新時間2024-11-8 15:29:00

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