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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3432isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) ?L | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFieldEffectTransistor Features Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0m?MAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9m?MAX.(VGS=4V,ID=42A) LowCiss:Ciss=9500pFTYP. Built-ingateprotectiondiode | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3432isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0m?MAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9m?MAX.(VGS=4V,ID=42A) ?LowCiss:Ciss=9500pFTYP. ?Bui | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3432isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0m?MAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9m?MAX.(VGS=4V,ID=42A) ?LowCiss:Ciss=9500pFTYP. ?Bui | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3432isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) ?L | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3432isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) ?L | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION The2SK3432isN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0m?MAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9m?MAX.(VGS=4V,ID=42A) ?LowCiss:Ciss=9500pFTYP. ?Bui | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3432isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES ?Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=4.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=6.9mΩMAX.(VGS=4V,ID=42A) ?L | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS |
詳細(xì)參數(shù)
- 型號:
2SK3432-Z-AZ
- 制造商:
Renesas Electronics Corporation
- 制造商:
Renesas Electronics Corporation
- 功能描述:
Trans MOSFET N-CH 40V 83A 3-Pin(2+Tab) TO-220 SMD
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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RENESAS/瑞薩 |
23+ |
SOT-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
23+ |
SOT-263 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
2022 |
SOT-263 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
1336+/1250+ |
SOT-263 |
45 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
RENESAS(瑞薩)/IDT |
23+ |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當(dāng)天可交貨!免費(fèi)送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價(jià) | |||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
NA/ |
170 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
2023+ |
SOT-263 |
8800 |
正品渠道現(xiàn)貨 終端可提供BOM表配單。 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
82000 |
一級代理-主營優(yōu)勢-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
RENESAS |
24+ |
SOT-263 |
10000 |
公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
RENESAS |
24+/25+ |
NA |
5984 |
20年芯片代理現(xiàn)貨分銷正品保證 |
詢價(jià) |
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