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2SK3131中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2SK3131
廠商型號

2SK3131
功能描述

Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
文件大小

420.3 Kbytes
頁面數(shù)量

6 頁
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA【東芝】

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-19 17:23:00

2SK3131規(guī)格書詳情

Chopper Regulator DC?DC Converter and Motor Drive Applications

? Fast reverse recovery time : trr = 105 ns (typ.)

? Built-in high-speed free-wheeling diode

? Low drain?source ON resistance : RDS (ON) = 0.085 ? (typ.)

? High forward transfer admittance : |Yfs| = 35 S (typ.)

? Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 500 V)

? Enhancement mode : Vth = 2.4 to 3.4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    2SK3131

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P(L)

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    -

  • 標準包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應商設備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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