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2SK2802

Silicon N Channel MOS FET Low Frequency Power Switching

Features ?Lowon-resistance RDS(on)=0.2?typ.(VGS=4V,ID=100mA) ?2.5Vgatedrivedevices. ?Smallpackage(MPAK)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

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更多2SK2802供應商 更新時間2024-11-8 10:12:00