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2SJ412中文資料東芝數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2SJ412
廠商型號(hào)

2SJ412

功能描述

Bipolar Small-Signal Transistors

文件大小

1.58274 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

73 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-4 23:00:00

2SJ412規(guī)格書(shū)詳情

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F

Toshiba 30F126 GT30F126

Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html

Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131)

: http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2SJ412

  • 功能描述:

    MOSFET P-Ch 100V 16A Rdson 0.21 Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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