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2SD2300	文件：32.06 Kbytes Page：5 Pages	Silicon NPN Triple Diffused Features ?HighbreakdownvoltageVCBO=1500V ?Built-indamperdiodetype Application CTVhorizontaldeflectionoutput	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD2300	文件：55.8 Kbytes Page：2 Pages	Power Bipolar Transistors	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
2SD2300	文件：46.44 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3PMLpackage ?Highbreakdownvoltage ?Built-indamperdiode APPLICATIONS ?ForcolorTVhorizontaloutputdeflectionapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD2300	文件：121.26 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ?WithTO-3PFMpackage ?Highbreakdownvoltage ?Built-indamperdiode APPLICATIONS ?ForcolorTVhorizontaloutputdeflectionapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD2301	文件：55.8 Kbytes Page：2 Pages	Power Bipolar Transistors	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
2SD2304	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
2SD2306	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	Marking：T114；Package：HRT；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
2SD2307	文件：91.07 Kbytes Page：1 Pages	Marking：T114；Package：HRT；TAPED POWER TRANSISTOR PACKAGE FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MACHINE EpitaxialPlanarNPNSiliconTransistor TAPEDPOWERTRANSISTORPACKAGEFORUSEWITHANAUTOMATICPLACEMENTMACHINE)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
2SD2311	文件：55.8 Kbytes Page：2 Pages	Power Bipolar Transistors	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
2SD2318	文件：29.92 Kbytes Page：1 Pages	Marking：TL；Package：CPT3；High-current gain Power Transistor (-60V, -3A) 2SB1639(-60V,-3A) 2SD2318,2SD1944(60V,3A) HighDCcurrentgain.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
2SD2318	文件：75.31 Kbytes Page：3 Pages	High-current gain Power Transistor(60V, 3A) Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Lowsaturationvoltage. (Typ.VCE(sat)=0.5VatIC/IB=2A/0.5A) 3)Complementsthe2SB1639.	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
2SD2318	文件：39.85 Kbytes Page：1 Pages	High-current gain Power Transistor Features ●HighDCcurrentgain. ●Lowsaturationvoltage.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SD2318	文件：141.04 Kbytes Page：3 Pages	High-current gain Power Transistor (60V, 3A) Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Lowsaturationvoltage. (Typ.VCE(sat)=0.5VatIC/IB=2A/0.5A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
2SD2318_10	文件：141.04 Kbytes Page：3 Pages	High-current gain Power Transistor (60V, 3A) Features 1)HighDCcurrentgain. 2)Lowsaturationvoltage. (Typ.VCE(sat)=0.5VatIC/IB=2A/0.5A)	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
2SD2321	文件：39.35 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency power amplification) Forlow-frequencypoweramplification ■Features ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat). ●Satisfactoryoperationperformancesathighefficiencywiththelow-voltagepowersupply.	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
2SD2324	文件：68.3 Kbytes Page：3 Pages	Compact Motor Driver Applications?????????? Features ?Lowsaturationvoltage. ?Containsadiodebetweencolletorandemitter. ?Containsabiasresistorbetweenbaseandemitter. ?Largecurrentcapacity. ?Small-sizedpackagefacilitatingtherealizationofhigh-density,small-sizedhybridICs.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機株式會社	SANYO
2SD2324	文件：39.47 Kbytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features ●Lowsaturationvoltage. ●Containsadiodebetweencolletorandemitter. ●Containsabiasresistorbetweenbaseandemitter. ●Largecurrentcapacity. ●Small-sizedpackagefacilitatingtherealizationofhigh-density,small-sizedhybridICs.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
2SD2328	文件：105.88 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTORS(SELECTION GUIDE BY APPLICATIONS AND FUNCTIONS) TRANSISTORS(SELECTIONGUIDEBYAPPLICATIONSANDFUNCTIONS) SiliconLargePowerTransistors SiliconPowerTransistorsforAudio	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic
2SD2328	文件：279.1 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=180V(Min) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=3.0V(Max)@IC=10A,IB=1A ?HighPowerDissipation ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS ?Powerampli	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
2SD2331	文件：82.13 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTORS(SELECTION GUIDE BY APPLICATIONS AND FUNCTIONS) SiliconPowerTransistorsforTVandMonitorDisplay	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下電器	Panasonic

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晶體管資料

型號：
2SD2300
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+Di
性質(zhì)：
絕緣（Iso）
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
1.5KV
最大電流允許值：
5A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
BU706DF,2SC4122,2SC4293,2SD1555,2SD1556,2SD1651,2SD1652,2SD1878,2SD2333,
最大耗散功率：
50W
放大倍數(shù)：
圖片代號：
B-54
vtest：
1500
htest：
999900
atest：
5
wtest：
50

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	2SD2309-D	日立	24+	TO-92	5200		詢價
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深圳市昌和盛利電子有限公司	2SD2318	ROHM	23+	TO252	9526		詢價

更多2SD23供應(yīng)商更新時間2025-1-17 9:02:00

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