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2SD2161

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SD2161isaDarlingtonpowertransistorthatcandirectlydrivefromtheICoutput.ThistransistorisidealformotordriversandsolenoiddriversinsuchasOAandFAequipm

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SD2161

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=100V(Min) ?HighDCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@(VCE=2V,IC=2A) ?LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.5V(Max)@(IC=2A,IB=2mA) APPLICATIONS ?Designedforlow-frequencypoweramplifiersandlow-spee

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SD2161

SILICON POWER TRANSISTOR

NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SD2161isaDarlingtonpowertransistorthatcandirectlydrive fromtheICoutput.Thistransistorisidealformotordriversand solenoiddriversinsuchasOAandFAeq

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2SD2161

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    2SD1589,2SD1633,2SD1829,2SD1889,2SD2112,

  • 最大耗散功率:

    20W

  • 放大倍數(shù):

    β=8000

  • 圖片代號:

    B-38

  • vtest:

    100

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    20

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    2SD2161

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全稱:

    NEC

  • 功能描述:

    NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

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更多2SD2161供應(yīng)商 更新時間2025-1-30 14:00:00