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2SD2113

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=120V(Min) ·Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=1.5A ·HighDCCurrentGain:hFE=1000(Min)@IC=1.5A,VCE=3V APPLICATIONS ·Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

晶體管資料

  • 型號:

    2SD2113

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    120V

  • 最大電流允許值:

    3A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BDT61CF,2SD1828,2SD2014,2SD2015,

  • 最大耗散功率:

    25W

  • 放大倍數(shù):

    β>1000

  • 圖片代號:

    B-45

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    25

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號:

    2SD2113

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全稱:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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