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2SC6026MFV-Y,L3F_分立半導體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號：2SC6026MFV-Y,L3F品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

資料說明：TRANS NPN 50V 0.15A VESM

2SC6026MFV-Y,L3F是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝SOT-723的2SC6026MFV-Y,L3F晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一，對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢，但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術。

  • 芯片型號：

    2sc6026mfv-y,l3f

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    TRANS NPN 50V 0.15A VESM

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    2SC6026MFV-Y,L3F

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 10mA，100mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 2mA，6V

  • 頻率 - 躍遷：

    60MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-723

  • 供應商器件封裝：

    VESM

  • 描述：

    TRANS NPN 50V 0.15A VESM

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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