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2SC5226A-4-TL-E

VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifi er Applications

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

2SC5226A-4-TL-E

RF Transistor 10V, 70mA, fT=7GHz, NPN Single MCP

RFTransistor 10V,70mA,fT=7GHz,NPNSingleMCP Features ?Low-noise:NF=1.0dBtyp(f=1GHz) ?Highgain:?S21e?2=12dBtyp(f=1GHz) ?Highcut-offfrequency:fT=7GHztyp

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2SC5226A-4-TL-E

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：SC-70，SOT-323 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SC5226A-4-TL-E

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    10V

  • 頻率 - 躍遷：

    7GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1dB @ 1GHz

  • 增益：

    12dB

  • 功率 - 最大值：

    150mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    90 @ 20mA，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    70mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SC-70，SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SC-70 / MCP3

  • 描述：

    RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
23+
SC-70
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原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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SOT323
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16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量
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ONSemiconductor
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進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190
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ON/安森美
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ON/安森美
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SC-70
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更多2SC5226A-4-TL-E供應(yīng)商 更新時間2024-12-27 14:09:00

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