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2SC3357-T1-A

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATION

CEL

California Eastern Labs

2SC3357-T1-A

包裝：托盤 封裝/外殼：TO-243AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 描述：RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

CEL

California Eastern Labs

2SC3357-T1

NPNEPITAXIALSILICONRFTRANSISTORFORHIGH-FREQUENCYLOW-NOISEAMPLIFICATION3-PINPOWERMINIMOLD

FEATURES ?Lownoiseandhighgain NF=1.1dBTYP.,Ga=7.5dBTYP.@VCE=10V,IC=7mA,f=1GHz NF=1.8dBTYP.,Ga=9.0dBTYP.@VCE=10V,IC=40mA,f=1GHz ?Highpowergain:MAG=10dBTYP.@IC=40mA,f=1GHz ?LargePtot:Ptot=1.2W(Mountedon16cm2×

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SC3357-T1-A

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    12V

  • 頻率 - 躍遷：

    6.5GHz

  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：

    1.8dB @ 1GHz

  • 增益：

    10dB

  • 功率 - 最大值：

    1.2W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 20mA，10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    100mA

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-89

  • 描述：

    RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
RENESAS
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SOT89
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更多2SC3357-T1-A供應(yīng)商 更新時間2025-1-13 16:14:00

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