首頁(yè) >2SB601>規(guī)格書(shū)列表

零件編號(hào)下載&訂購(gòu)功能描述制造商&上傳企業(yè)LOGO

2SB601

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain ·Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ·Forlow-frequencypoweramplifierandlow-speedswitchingapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

2SB601

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-220Cpackage ?DARLINGTON ?HighDCcurrentgain ?Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ?Forlow-frequencypoweramplifierandlow-speedswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SB601

Silicon PNP Power Transistors

DESCRIPTION ·WithTO-220Cpackage ·DARLINGTON ·HighDCcurrentgain ·Lowcollectorsaturationvoltage APPLICATIONS ·Forlow-frequencypoweramplifierandlow-speedswitchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SB601

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING FEATURES ?High-DCcurrentgainduetoDarlingtonconnection ?Lowcollectorsaturationvoltage ?Lowcollectorcutoffcurrent ?IdealforuseindirectdrivefromICoutputfo

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社

2SB601

Silicon PNP Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ?HighDCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@lc=-3A ?Collector-EmitterSustainingVoltage- :VCEO(sus)=-100V(Min) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.5V(Max)@lc=-3A APPLICATIONS ?Designedforuseinlow-frequencypoweramplifiersandlow-speeds

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2SB601

SILICON POWER TRANSISTOR

PNPSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION) FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING FEATURES ?High-DCcurrentgainduetoDarlingtonconnection ?Lowcollectorsaturationvoltage ?Lowcollectorcutoffcurrent ?IdealforuseindirectdrivefromICoutput

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

2SB601

Silicon PNP Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2SB601_15

Silicon PNP Power Transistors

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

2SB601_2014

Silicon PNP Power Transistors

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SB601

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開(kāi)關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BD264B,BD650,BD702,BD902,BDW24C,BDW64C,BDW64D,BD650,FC50B,

  • 最大耗散功率：

    30W

  • 放大倍數(shù)：

    β>2000

  • 圖片代號(hào)：

    B-89

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    5

  • wtest：

    30

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    2SB601

  • 制造商：

    NEC

  • 制造商全稱：

    NEC

  • 功能描述：

    PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR(DARLINGTON CONNECTION) FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHING

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
NEC
2024
TO-220
58209
16余年資質(zhì) 絕對(duì)原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量
 詢價(jià)
SAM
16+
原廠封裝
3000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
NSC
24+
2927
詢價(jià)
TOS
16+
TO-220
100000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
NEC
2339+
8858
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!
 詢價(jià)
ST
1738+
TO-220
8529
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十!
 詢價(jià)
ISC
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
NEC
21+
TO-220
12588
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十
 詢價(jià)
NIPPON
21+
65230
詢價(jià)
NEC
24+
6540
原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢
 詢價(jià)
更多2SB601供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-18 16:40:00

相關(guān)規(guī)格書(shū)

更多

相關(guān)庫(kù)存

更多