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2SB1132R

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

AITSEMIAiT Semiconductor Inc.

創(chuàng)瑞科技AiT創(chuàng)瑞科技

2SB1132

MediumPowerTransistor(-32V,-1A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1132

MediumPowerTransistor

Features ●LowVCE(sat) ●Complimentsto2SD1664

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SB1132

PNPSiliconMediumPowerTransistor

FEATURES ?Lowpowerdissipation0.5W

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SB1132

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-40V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2SB1132

MEDIUMPOWERTRANSISTOR

DESCRIPTION TheUTC2SB1132isaepitaxialplanartypePNPsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT). VCE(SAT)=-0.2V(Typ.)(IC/IB=-500mA/-50mA)

UTCUnisonic Technologies

友順友順科技股份有限公司

2SB1132

PNPPlastic-EncapsulateTransistors

PNPPlastic-EncapsulateTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

2SB1132

MediumPowerTransistor

MediumPowerTransistor(-32V,-1A) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=-0.2V(Typ.) (IC/IB=-500mA/-50mA) 2)Compliments2SD1664/2SD1858 Structure Epitaxialplanartype PNPsilicontransistor

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1132

MediumPowerTransistor(−32V,−1A)

ROHMRohm

羅姆羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

2SB1132

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES ?LowVCE(sat):-0.2V(Typ)IC/IB=-500mA/-50mA ?Compliments2SD1664

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

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更多2SB1132R供應(yīng)商 更新時間2025-2-19 14:00:00

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