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2SB1024中文資料新澤西半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2SB1024
廠商型號(hào)

2SB1024
功能描述

Silicon PNP Darlington Power Transistor
文件大小

126.05 Kbytes
頁面數(shù)量

2 頁
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-14 18:14:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2SB1024

  • 別名：

    2SB1024三極管、2SB1024晶體管、2SB1024晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+Darl+Di

  • 性質(zhì)：

    低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    4A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    2SA1718,2SB885,2SB1098,2SB1102,2SNB1227,2SB1282,2SB1342,

  • 最大耗散功率：

    30W

  • 放大倍數(shù)：

    β=4000

  • 圖片代號(hào)：

    B-10

  • vtest：

    100

  • htest：

    999900

  • atest：

    4

  • wtest：

    30

2SB1024規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.5V(Max.)@ IC= -3A

? High DC Current Gain- : hFE= 2000(Min)@ (VCE= -2V, IC= -1A)

? Complement to Type 2SD1414

APPLICATIONS

? Designed for power amplifier applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    2SB1024

  • 制造商：

    Distributed By MCM

  • 功能描述：

    SUB ONLY TOSHIBA TRANSISTOR2-10L1A -100V -4A 30W BCE

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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