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2SA812

AUDIO FREQUENCY,GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MINI MOLD

FEATURES ?Complementaryto2SC1623 ?HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=?6.0V,IC=?1.0mA)) ?HighVoltage:VCEO=?50V

NECRenesas Electronics America

瑞薩日本瑞薩電子株式會社

2SA812

Plastic-Encapsulated Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-60V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2SA812

Marking:M4;Package:SOT-23;Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●Commplementaryto2SC1623. ●HighDCcurrentgain:hFE=200typ.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V. APPLICATIONS ●Audiofrequency,generalpurposeamplifier.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀微電子股份有限公司

2SA812

PNP Silicon Epitaxial Transistor

Features ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6.0V,IC=-1.0mA) ●HighVoltage:VCEO=-50V

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

2SA812

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES ●Complementaryto2SC1623 ●HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) ●HighVoltage:Vceo=-50V

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽半導體深圳市金譽半導體股份有限公司

2SA812

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description Designedforaudiofrequencyamplifierapplications.

DCCOM

Dc Components

2SA812

PNP General Purpose Transistors

PNPGeneralPurposeTransistors P/bLead(Pb)-Free

WEITRON

Weitron Technology

2SA812

SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES Complementaryto2SC1623 HighDCCurrentGain:hFE=200TYP.(VCE=-6V,IC=-1mA) HighVoltage:Vceo=-50V

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SA812

TRANSISTOR (PNP)

FEATURES PowerdissipationPCM:0.2W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-0.1A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-60V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司

2SA812

PNP General Purpose Transistor

■FEATURES PNPGeneralPurposeTransistor

GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd.

桂微桂林斯壯桂微電子有限責任公司

晶體管資料

  • 型號:

    2SA812

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_通用型 (Uni)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    60V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    180MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BC856,BCW68,BCW89,BCX17,2SA1311,3CG110C,

  • 最大耗散功率:

    0.2W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-15

  • vtest:

    60

  • htest:

    180000000

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.2

詳細參數(shù)

  • 型號:

    2SA812

  • 制造商:

    Panasonic Industrial Company

  • 功能描述:

    TRANSISTOR

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
2015+
4000
公司現(xiàn)貨庫存
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2015+
4000
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SOT23
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2012
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16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量
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