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TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) High-VoltageSwitchingApplications ?Highbreakdownvoltage:VCEO=?400V | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
Silicon PNP Triple Diffused Type Features Highvoltage:VCE=-400V | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
TRANSISTOR (HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATIONS) High-VoltageSwitchingApplications ?Highbreakdownvoltage:VCEO=?400V | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝 | TOSHIBA | ||
DC/DC Converter Applications DC/DCConverterApplications Features ?AdoptionofFBET,MBITprocesses. ?Largecurrentcapacitance. ?Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. ?High-speedswitching. ?Ultrasmallpackagefacilitatesminiaturizationinendproducts. | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社 | SANYO | ||
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER FEATURES ?HighfT fT=8.5GHzTYP. ?Highgain |S21e|2=12.0dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=?8V,IC=?20mA ?High-speedswitchingcharacterstics ?EquivalentNPNtransistoristhe2SC3583. | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社 | NEC | ||
PNP Epitaxial Silicon Transistor Features ●HighfT:fT=8.5GHzTYP. ●Highgain |S21e|2=12.0dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=-8V,IC=-20mA ●High-speedswitchingcharacterstics | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FEATURES ?HighfT fT=8.5GHzTYP. ?Highgain |S21e|2=12.0dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=?8V,IC=?20mA ?High-speedswitchingcharacterstics ?EquivalentNPNtransistoristheNE68133/2SC3583. | CEL California Eastern Labs | CEL | ||
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MICROWAVE AMPLIFIER FEATURES ?HighfT fT=5.5GHzTYP. ?|S21e|2=10.0dBTYP.@f=1.0GHz,VCE=?10V,IC=?15mA ?Highspeedswitchingcharacteristics ?EquivalentNPNtransistoristhe2SC2351. ?Alternativeofthe2SA1424. | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社 | NEC |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）_開(kāi)關(guān)管 （S）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
400V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
35MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
2SA1812,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
H-100
- vtest：
400
- htest：
35000000
- atest：
0.5
- wtest：
0
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
2SA197
- 制造商：
Toshiba
- 功能描述：
PNP
- 制造商：
Toshiba America Electronic Components
- 功能描述：
Transistor PNP 400V 0.5A 35MHz PW-Mini
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
19+ |
SOT-89 |
5000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
2021+ |
SOT-89 |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
SOT89 |
7906200 |
一站配齊,原盒原包現(xiàn)貨原廠一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
UTG |
24+ |
SOT-89 |
502732 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT-89 |
8300 |
新進(jìn)庫(kù)存/原裝 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
23+ |
SOT-89 |
31000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
2016+ |
SOT89 |
2500 |
只做原裝,假一罰十,公司可開(kāi)17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
KEXIN |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT89 |
2987 |
只售原裝自家現(xiàn)貨!誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)!歡迎來(lái)電 |
詢價(jià) | ||
SOT-89 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專(zhuān)業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢價(jià) |
