2SA1943N(S1,E,S)_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)-Toshiba Semiconductor and Storage

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原廠料號(hào):2SA1943N(S1,E,S)品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

資料說(shuō)明:TRANS PNP 230V 15A TO3P

2SA1943N(S1,E,S)是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)。制造商Toshiba Semiconductor and Storage生產(chǎn)封裝TO-3P-3,SC-65-3的2SA1943N(S1,E,S)晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì),但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

  • 芯片型號(hào):

    2sa1943n(s1,e,s)

  • 規(guī)格書(shū):

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  • 資料說(shuō)明:

    TRANS PNP 230V 15A TO3P

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2SA1943N(S1,E,S)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    3V @ 800mA,8A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    5μA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 1A,5V

  • 頻率 - 躍遷:

    30MHz

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3P(N)

  • 描述:

    TRANS PNP 230V 15A TO3P

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