首頁 >2SA1242>規(guī)格書列表

零件編號下載 訂購功能描述/絲印制造商 上傳企業(yè)LOGO

2SA1242

Silicon PNP transistor in a TO-252 Plastic Package.

Descriptions SiliconPNPtransistorinaTO-252PlasticPackage. Features ExcellenthFElinearity,lowVCE(sat),highPC. Applications Strobeflashapplications,mediumpoweramplifierapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SA1242

Silicon PNP Epitaxial Type

FEATURES ●ExcellenthFElinearity. ●Lowcollectorsaturationvoltage. ●Highpowerdissipation. APPLICATIONS ●StrobeFlashApplications. ●MediumPowerAmplifierApplications.

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

2SA1242

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ?hFE=100-320(IC=-0.5A;VCE=-2V) ?hFE=70(Min)(IC=-4A;VCE=-2V) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=-1.0V(Max)(IC=-4A;IB=-0.1A) ?·HighPowerDissipation-:PC=10W@TC=25℃,PC=10W@Ta=25℃ ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceand

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1242

TO-251-3L Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●StrobeFlashApplicationsMediumPowerAmplifierApplications ●ExcellenthFELinearity :hFE(1)=100to320(VCE=?2V,IC=?0.5A) :hFE(2)=70(min)(VCE=?2V,IC=?4A) ●LowCollectorSaturationVoltage :VCE(sat)=?1.0V(max)(IC=?

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SA1242

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1242

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·hFE=100-320(IC=-0.5A;VCE=-2V) ·hFE=70(Min)(IC=-4A;VCE=-2V) ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.0V(Max)(IC=-4A;IB=-0.1A) ··HighPowerDissipation- :PC=10W@TC=25℃,PC=10W@Ta=25℃ APPLICATIONS ·Formediumpoweramplifierandstrobeflashapplicati

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1242

Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·hFE=100-320(IC=-0.5A;VCE=-2V) ·hFE=70(Min)(IC=-4A;VCE=-2V) ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage- :VCE(sat)=-1.0V(Max)(IC=-4A;IB=-0.1A) ··HighPowerDissipation- :PC=10W@TC=25℃,PC=10W@Ta=25℃ APPLICATIONS ·Formediumpoweramplifierandstrobeflashapplicati

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1242

TRANSISOTOR (STROBE FLASH, MEDIUM POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

StrobeFlashApplications MediumPowerAmplifierApplications ?ExcellenthFElinearity :hFE(1)=100to320(VCE=?2V,IC=?0.5A) :hFE(2)=70(min)(VCE=?2V,IC=?4A) ?Lowcollectorsaturationvoltage :VCE(sat)=?1.0V(max)(IC=?4A,IB=?0.1A) ?Highpow

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1242

Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1242

Strobe Flash Applications Medium Power Amplifier Applications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

晶體管資料

  • 型號：

    2SA1242

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    開關(guān)管 （S）_功率放大 （L）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    35V

  • 最大電流允許值：

    5A

  • 最大工作頻率：

    170MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    2SA1244,2SA1401,2SB967,2SB1203,2SB1204,

  • 最大耗散功率：

    10W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    A-80

  • vtest：

    35

  • htest：

    170000000

  • atest：

    5

  • wtest：

    10

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2SA1242

  • 制造商：

    Toshiba

  • 功能描述：

    PNP Cut Tape

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
KEC
24+
TO-251
3000
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
TOSHIBA/東芝
2024
TO-252
503122
16余年資質(zhì) 絕對原盒原盤代理渠道 更多數(shù)量
 詢價
TOSHIBA
24+
TO-252
6900
新進(jìn)庫存/原裝
 詢價
TOSHIBA
23+
TO-252
9526
詢價
TOS
24+
原廠封裝
5500
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
長電
22+23+
TO-251S
23993
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價
長電
24+
TO-251S
15972
全新原裝正品現(xiàn)貨/長期大量供貨!!
 詢價
CJ/長電
22+
TO-251S
15972
原裝正品現(xiàn)貨,可開13點稅
 詢價
CJ
20+
TO252
32970
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
TOSHIBA/東芝
2022+
10000
全新原裝 貨期兩周
 詢價
更多2SA1242供應(yīng)商 更新時間2025-3-18 16:36:00

相關(guān)規(guī)格書

更多

相關(guān)庫存

更多