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2SA1213-Y-TP

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-243AA 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS PNP 50V 2A SOT89

MCCMicro Commercial Components

美微科美微科半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1213

TRANSISTOR竊?NP竊

FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:-2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-50V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ，Tstg:-55℃to+150℃

KOOCHIN

SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.

2SA1213

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Complementaryto2SC2873 ●SmallFlatPackage ●PowerAmplifierandSwitchingApplications ●LowSaturationVoltage ●HighSpeedSwitchingTime

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

2SA1213

SiliconPlanarEpitaxialTransistor

FEATURES ●Lowsaturationvoltage ●Highspeedswitchingtime ●Smallflatpackage ●PC=1.0to2.0W(mountedonceramicsubstrate) ●Complementaryto2SC2873

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

2SA1213

PowerAmplifierApplications

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=?0.5V(max)(IC=?1A) ?Highspeedswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ?Smallflatpackage ?PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) ?Complementaryto2SC2873

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1213

SiliconPlanarEpitaxialTransistor

BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd.

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

2SA1213

SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage

Descriptions SiliconPNPtransistorinaSOT-89PlasticPackage. Features Lowcollectorsaturationvoltage,Highspeedswitchingtime,smallflatpackage,Complementaryto2SC2873. Applications Poweramplifierandswitchingapplications.

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

2SA1213

SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●Complementaryto2SC2873 ●SmallFlatPackage ●PowerAmplifierandSwitchingApplications ●LowSaturationVoltage ●HighSpeedSwitchingTime

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶電子東莞市南晶電子有限公司

2SA1213

TRANSISTOR(PNP)

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-50V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

2SA1213

NewJerseySemi-ConductorProducts,

NewJerseySemi-ConductorProducts

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2SA1213

TRANSISTOR(PNP)

FEATURES ●Complementaryto2SC2873 ●SmallFlatPackage ●PowerAmplifierandSwitchingApplications ●LowSaturationVoltage ●HighSpeedSwitchingTime

HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd.

金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司

2SA1213

PowerSwitchingApplications

Features ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A) ●HighSpeedSwitchingTime:tstg=1.0us(typ.) ●SmallFlatPackage ●PC=1to2W(mountedonceramicsubstrate) ●Complementaryto2SC2873

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司

2SA1213

PNPSiliconMediumPowerTransistor

*Features Lowpowerdissipation0.5W CollectorCurrent-2A *Stucture Epitaxialplanartype. PNPsilicontransistor.

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

2SA1213

PowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1213

Plastic-EncapsulatedTransistors

TRANSISTOR(PNP) FEATURES PowerdissipationPCM:0.5W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:-2A Collector-basevoltageV(BR)CBO:-50V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃

TEL

TRANSYS Electronics Limited

2SA1213

TRANSISTOR(POWERAMPLIFIER,SWITCHINGAPPLICATIONS)

PowerAmplifierApplications PowerSwitchingApplications ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=?0.5V(max)(IC=?1A) ?Highspeedswitchingtime:tstg=1.0μs(typ.) ?Smallflatpackage ?PC=1.0to2.0W(mountedonaceramicsubstrate) ?Complementaryto2SC2873

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1213

PowerAmplifierApplicationsPowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

2SA1213

PNPTransistors

Features ●LowSaturationVoltage:VCE(sat)=-0.5V(max)(IC=-1A) ●HighSpeedSwitchingTime:tstg=1.0us(typ.) ●SmallFlatPackage ●PC=1to2W(mountedonceramicsubstrate) ●Complementaryto2SC2873

YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD

佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司

2SA1213A

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES ●Complementaryto2SC2873A ●SmallFlatPackage ●PowerAmplifierandSwitchingApplications ●LowSaturationVoltage ●HighSpeedSwitchingTime

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

2SA1213AO

Plastic-EncapsulateTransistors

FEATURES ●Complementaryto2SC2873A ●SmallFlatPackage ●PowerAmplifierandSwitchingApplications ●LowSaturationVoltage ●HighSpeedSwitchingTime

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時(shí)科廣東時(shí)科微實(shí)業(yè)有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2SA1213-Y-TP

  • 制造商：

    Micro Commercial Co

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    500mV @ 50mA，1A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    70 @ 500mA，2V

  • 頻率 - 躍遷：

    100MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-243AA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-89

  • 描述：

    TRANS PNP 50V 2A SOT89

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
MCC
2023+
新
80000
一級代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
 詢價(jià)
Micro
1942+
N/A
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MICRO
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SOT-89
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MCC
NA
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一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨
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Micro Commercial Co
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SOT-89
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
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MCC
1837
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優(yōu)勢貨源原裝正品
 詢價(jià)
Micro Commercial Co
24+
TO-243AA
9350
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
Micro
24+
TO-243AA
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專注原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子
 詢價(jià)
MCC
23+
SOT-89
45000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
23+
SOT-89
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
更多2SA1213-Y-TP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-13 8:01:00

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