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2PS12006E33G30856

INFINEON

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

相關(guān)企業(yè):天津市博通航睿技術(shù)有限公司

2PS12006E33G30856

INFINEON

EON

Eon Silicon Solution Inc.

相關(guān)企業(yè):天津市博通航睿技術(shù)有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    2PS12006E33G30856

  • 功能描述:

    IGBT 模塊

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

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