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2PS04012E32G28175

INFINEON
IGBT

InfineonInfineon Technologies AG

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INFINEON
IGBT

EON

Eon Silicon Solution Inc.

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INFINEON
IGBT

ONON Semiconductor

安森美安森美半導(dǎo)體(上海)有限公司

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    2PS04012E32G28175

  • 功能描述：

    IGBT 模塊 1x 311A AC at 400V AC Forced Air

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多2PS04012E32G28175供應(yīng)商 更新時間2024-10-26 15:00:00

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