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2N7002KDW中文資料揚(yáng)州揚(yáng)杰電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

2N7002KDW
廠商型號(hào)

2N7002KDW

功能描述

Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

72K

封裝外殼

SOT-363

文件大小

616.27 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Yangzhou yangjie electronic co., ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

YANGJIE揚(yáng)州揚(yáng)杰電子

中文名稱

揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-2 14:54:00

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2N7002KDW規(guī)格書詳情

Product Summary

● VDS 60V

● ID 0.34A

● RDS(ON)( at VGS=10V) <2.5 ohm

● RDS(ON)( at VGS=4.5V) <3.0 ohm

● ESD Protected Up to 2.5KV (HBM)

General Description

● Trench Power MV MOSFET technology

● Voltage controlled small signal switch

● Low input Capacitance

● Fast Switching Speed

● Low Input / Output Leakage

Applications

● Battery operated systems

● Solid-state relays

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2N7002KDW

  • 制造商:

    SECOS

  • 制造商全稱:

    SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

  • 功能描述:

    Dual N-Channel Small Signal MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
N/A
2402+
SOT363
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