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2N7002BKM中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

2N7002BKM
廠商型號

2N7002BKM
功能描述

60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET
絲印標識

Z8
封裝外殼

SC-101
文件大小

906 Kbytes
頁面數(shù)量

16 頁
生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA【安世】

中文名稱

安世半導(dǎo)體(中國)有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-28 17:06:00
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2N7002BKM規(guī)格書詳情

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small

SOT883 (SC-101) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ESD protection up to 2 kV

AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    2N7002BKM

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    MOSFET N CH 60V 0.45A SOT883

  • 功能描述：

    MOSFET, N CH, 60V, 0.45A, SOT883

  • 功能描述：

    MOSFET, N CH, 60V, 0.45A, SOT883; Transistor

  • Polarity：

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id：

    450mA; Drain Source Voltage

  • Vds：

    60V; On Resistance

  • Rds(on)：

    1ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ：

    1.6V; No. of

  • Pins：

    3;RoHS

  • Compliant：

    Yes

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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