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2N7002BKM中文資料安世數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

2N7002BKM
廠商型號(hào)

2N7002BKM

功能描述

60 V, 450 mA N-channel Trench MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

Z8

封裝外殼

SC-101

文件大小

906 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

NEXPERIA安世

中文名稱(chēng)

安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-25 12:06:00

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2N7002BKM規(guī)格書(shū)詳情

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small

SOT883 (SC-101) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ESD protection up to 2 kV

AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    2N7002BKM

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 60V 450mA

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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