2N6650分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2N6650 |
| 參數(shù)屬性 | 2N6650 包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產品描述：PNP TRANSISTOR |
| 功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
| 文件大小 |
210.74 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導體產品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-28 10:18:00 |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
2N6650三極管、2N6650晶體管、2N6650晶體三極管
- 生產廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質：
低頻或音頻放大 （LF）_開關管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
80V
- 最大電流允許值：
10A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號：
BDV64A,BDX84B,BDX86B,MJ2501,
- 最大耗散功率：
100W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號：
E-44
- vtest：
80
- htest：
999900
- atest：
10
- wtest：
100
2N6650規(guī)格書詳情
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS
產品屬性
- 產品編號：
2N6650
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
卷帶（TR）
- 描述：
PNP TRANSISTOR
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Microsemi |
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