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2N658

GERMABIUM PNP MESA TRANSISTORS

GERMABIUMPNPMESATRANSISTORS GERMABIUMPNPSMALLSIGNALTRANSISTORS

AMMSEMI

American Microsemiconductor

2N658

GERMANIUM PNPSMALL SIGNAL TRANSISTORS

GERMANIUMPNPSMALLSIGNALTRANSISTORS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6581

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?ExcellentSafeOperatingArea ?HighVoltage,HighSpeed ?LowSaturationVoltage ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=450V(Min) APPLICATIONS ?Off-linepowersupplies ?Switchingamplifiers ?Inverters/Converters ?Motorspeedcontrolcircuits ?Switchingr

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2N6583

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ?ExcellentSafeOperatingArea ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=400V(Min) ?HighCurrentCapability ?Collector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=10A ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2N6587

SI NPN POWER BJT

Description:SiNPNPowerBJT,I(C)=10Ato19.9A

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N6580

isc Silicon NPN Power Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2N6581

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

SEME-LAB

Seme LAB

2N6582

isc Silicon NPN Power Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2N6583

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package

SEME-LAB

Seme LAB

2N6584

isc Silicon NPN Power Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2N6581

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N6582

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N6583

包裝:散裝 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè) 描述:POWER BJT

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N658

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Ge-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    25V

  • 最大電流允許值:

    1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

    AC128,AC153,AC188,AC193,2N1190,2SB405,3AK61,

  • 最大耗散功率:

    0.2W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    D-9

  • vtest:

    25

  • htest:

    999900

  • atest:

    1

  • wtest:

    0.2

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    2N658

  • 功能描述:

    TRANSISTOR | BJT | PNP | 16V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5

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更多2N658供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-18 14:02:00