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2N6339

POWER TRANSISTOR(25A,200W)

25AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON100-150VOLTS200WATTS

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導體股份有限公司

2N6339

POWER TRANSISTORS NPN SILICON

...designedforuseinindustrial?militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications. ?HighCollector?EmitterSustainingVoltage?VCEO(sus)=100Vdc(Min)?2N6338=150Vdc(Min)?2N6341 ?HighDCCurrentGain?hFE=30?120@IC=10Adc=12(Min)@IC=25Adc ?LowCollec

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

2N6339

HIGH-POWER NPN SILICON TRANSISTORS

25AMPEREPOWERTRANSISTORNPNSILICON100-150VOLTS200WATTS

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導體公司

2N6339

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-3package ?Fastswitchingtimes ?Lowcollectorsaturationvoltage ?Complementtotype2N6436~38 APPLICATIONS ?Foruseinindustrial-militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2N6339

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?WithTO-3package ?HighDCcurrentgain ?Fastswitchingtimes ?Lowcollectorsaturationvoltage ?Complementtotype2N6436~38 APPLICATIONS ?Foruseinindustrial-militarypoweramplifierandswitchingcircuitapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

2N6339

isc Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION ?Collector-EmitterSustainingVoltage-:VCEO(SUS)=100V(Min)-2N6338=120V(Min)-2N6339=140V(Min)-2N6340=160V(Min)-2N6341 ?HighSwitchingSpeed ?LowSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=10A APPLICATIONS ?Designedforuseinindustrial-militarypoweramplifier

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

2N6339

25 AMPERE POWER TRANSISTORS

25AMPEREPOWERTRANSISTORSNPNSILICON100,120,140,150VOLTS200WATTS

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導體新澤西半導體產品股份有限公司

2N6339

Silicon NPN Power Transistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2N6339

包裝:散裝 類別:分立半導體產品 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 描述:NPN TRANSISTOR

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

2N6339X

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

SEME-LAB

Seme LAB

晶體管資料

  • 型號:

    2N6339

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質:

    開關管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    140V

  • 最大電流允許值:

    25A

  • 最大工作頻率:

    >40MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號:

    BDW30,BDY58,2N5672,2N6275,2N6276,2N6277,3DK210C,

  • 最大耗散功率:

    200W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    E-44

  • vtest:

    140

  • htest:

    40000100

  • atest:

    25

  • wtest:

    200

產品屬性

  • 產品編號:

    2N6339

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個

  • 包裝:

    散裝

  • 描述:

    NPN TRANSISTOR

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