2N6285分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
2N6285 |
| 參數(shù)屬性 | 2N6285 封裝/外殼為模具；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：POWER BJT |
| 功能描述 | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 封裝外殼 | 模具 |
| 文件大小 |
214.32 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-1 17:12:00 |
| 人工找貨 | 2N6285價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
2N6285三極管、2N6285晶體管、2N6285晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
60V
- 最大電流允許值：
20A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
BDX66,BDX68A,BDX68B,BDX68C,MJ4030,MJ11011,TIP645,2SB694,
- 最大耗散功率：
160W
- 放大倍數(shù)：
β>750
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
20
- wtest：
160
2N6285規(guī)格書詳情
Darlington Complementary Silicon Power Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applications.
? High DC Current Gain @ IC = 10 Adc —
hFE = 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284
hFE = 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287
? Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — 2N6282, 2N6285
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) — 2N6283, 2N6286
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) — 2N6284, 2N6287
? Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N6285
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
3V @ 200mA，20A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
1mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 10A，3V
- 工作溫度：
-65°C ~ 200°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
模具
- 供應(yīng)商器件封裝：
模具
- 描述：
POWER BJT
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
1738+ |
TO-3 |
8529 |
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詢價(jià) | ||
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NA |
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21+ |
NA |
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詢價(jià) |
