2N6036分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
2N6036 |
參數(shù)屬性 | 2N6036 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP DARL 80V 4A TO126 |
功能描述 | Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors |
封裝外殼 | TO-225AA,TO-126-3 |
文件大小 |
113.74 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-3-12 10:20:00 |
人工找貨 | 2N6036價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
晶體管資料
- 型號(hào):
- 別名:
2N6036三極管、2N6036晶體管、2N6036晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-P+Darl+Di
- 性質(zhì):
低頻或音頻放大 (LF)_開關(guān)管 (S)_功率放大 (L
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
80V
- 最大電流允許值:
4A
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
3
- 可代換的型號(hào):
BD262A,BD680,BD780,
- 最大耗散功率:
40W
- 放大倍數(shù):
β>750
- 圖片代號(hào):
B-21
- vtest:
80
- htest:
999900
- atest:
4
- wtest:
40
2N6036規(guī)格書詳情
2N6036屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的2N6036晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。
Plastic Darlington complementary silicon power transistors are designed for general purpose amplifier and low?speed switching applications.
Features
? ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 V
Human Body Model, 3B; > 8000 V
? Epoxy Meets UL 94 V?0 @ 0.125 in
? Pb?Free Packages are Available*
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
2N6036
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)
- 包裝:
散裝
- 晶體管類型:
PNP - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):
3V @ 40mA,4A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100μA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):
750 @ 2A,3V
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-225AA,TO-126-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-126
- 描述:
TRANS PNP DARL 80V 4A TO126
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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