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2N5885 PBFREE

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 封裝/外殼：TO-204AA，TO-3 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè) 描述：TRANS NPN 60V 25A TO3

CentralCentral Semiconductor Corp

美國中央半導(dǎo)體

2N5885

POWERTRANSISTORSCOMPLEMENTARYSILICON

...designedforgeneral?purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features ?LowCollector?EmitterSaturationVoltage? VCE(sat)=1.0Vdc,(max)atIC=15Adc ?LowLeakageCurrent-ICEX=1.0mAdc(Max) ?ExcellentDCCurrentGain?hFE=20(Min)@IC=10Adc

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

2N5885

SiliconNPNPowerTransistors

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

2N5885

SiliconNPNPowerTransistors

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2N5885

iscSiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·DCCurrentGain- :hFE=20(Min)@IC=10A ·LowSaturationVoltage- :VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=15A ·ComplementtoType2N5883/5884 APPLICATIONS ·Designedforgeneralpurposepoweramplifierandswitchingapplications.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

2N5885

NPNMULTI-EPITAXIALPOWERTRANSISTOR

SEME-LAB

Seme LAB

2N5885

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Complementtotype2N58832N5884 APPLICATIONS ·Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications

JMNICQuanzhou Jinmei Electronic Co.,Ltd.

錦美電子泉州錦美電子有限公司

2N5885

SiliconNPNPowerTransistors

DESCRIPTION ·WithTO-3package ·Complementtotype2N58832N5884 ·Highpowerdissipations APPLICATIONS ·Theyareintendedforuseinpowerlinearandswitchingapplications

SAVANTIC

Savantic, Inc.

2N5885

ComplementarySiliconHigh??owerTransistors

Complementarysiliconhigh?powertransistorsaredesignedforgeneral?purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features ?LowCollector?EmitterSaturationVoltage? VCE(sat)=1.0Vdc,(max)atIC=15Adc ?LowLeakageCurrent ICEX=1.0mAdc(max)atRatedVoltage ?Excell

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

2N5885

PowerTransistors

PowerTransistors

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分類制造商

2N5885

COMPLEMENTARYSILICONHIGH-POWERTRANSISTORS

General-PurposePowerAmplifierandSwitchingApplications Features ?LowCollector?EmitterSaturationVoltage? VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=15A ?ExcellentDCCurrentGain? hFE=20~100@IC=10A

bocaBoca Semiconductor Corporation

博卡博卡半導(dǎo)體公司

2N5885

POWERTRANSISTORS(25A,200W)

General-PurposePowerAmplifierandSwitchingApplications Features ?LowCollector?EmitterSaturationVoltage? VCE(sat)=1.0V(Max)@IC=15A ?ExcellentDCCurrentGain? hFE=20~100@IC=10A

MOSPECMospec Semiconductor

統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司

2N5885G

ComplementarySiliconHigh??owerTransistors

Complementarysiliconhigh?powertransistorsaredesignedforgeneral?purposepoweramplifierandswitchingapplications. Features ?LowCollector?EmitterSaturationVoltage? VCE(sat)=1.0Vdc,(max)atIC=15Adc ?LowLeakageCurrent ICEX=1.0mAdc(max)atRatedVoltage ?Excell

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    2N5885 PBFREE

  • 制造商：

    Central Semiconductor Corp

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    4V @ 6.25A，25A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    20 @ 10A，4V

  • 頻率 - 躍遷：

    4MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-204AA，TO-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3

  • 描述：

    TRANS NPN 60V 25A TO3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多2N5885 PBFREE供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-26 16:12:00

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