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2N5861分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2N5861
廠商型號(hào)

2N5861
參數(shù)屬性

2N5861 包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：SMALL-SIGNAL BJT
功能描述

NPN SILICON MEMORY DIRVER TRANSISTOR
文件大小

198.42 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-19 22:30:00

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    2N5861

  • 別名：

    2N5861三極管、2N5861晶體管、2N5861晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-NPN

  • 性質(zhì)：

    開(kāi)關(guān)管 （S）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    100V

  • 最大電流允許值：

    2A

  • 最大工作頻率：

    >200MHZ

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    3DK10D,

  • 最大耗散功率：

    1W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    C-62

  • vtest：

    100

  • htest：

    200000100

  • atest：

    2

  • wtest：

    1

2N5861規(guī)格書(shū)詳情

NPN SILICON ANNULAR MEMORY DRIVER

. . . designed for medium-current, high-speed switching applications ideally suited for ferrite core memory driver circuits.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    2N5861

  • 制造商：

    Microchip Technology

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 描述：

    SMALL-SIGNAL BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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