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2N5612分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2N5612
廠商型號(hào)

2N5612

參數(shù)屬性

2N5612 封裝/外殼為T(mén)O-213AA,TO-66-2;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

Silicon NPN Power Transistors

封裝外殼

TO-213AA,TO-66-2

文件大小

140.74 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ISC無(wú)錫固電

中文名稱(chēng)

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-3 17:31:00

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晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N5612

  • 別名:

    2N5612三極管、2N5612晶體管、2N5612晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開(kāi)關(guān)管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    120V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    >60MHZ

  • 引腳數(shù):

    2

  • 可代換的型號(hào):

    BD243C,BD601,MJE15028,MJE15030,

  • 最大耗散功率:

    25W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    E-8

  • vtest:

    120

  • htest:

    60000100

  • atest:

    5

  • wtest:

    25

2N5612規(guī)格書(shū)詳情

DESCRIPTION

? With TO-66 package

? Excellent safe operating area

? Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

? For general-purpose amplifier; and switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N5612

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-213AA,TO-66-2

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-66(TO-213AA)

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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