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2N5306A中文資料新澤西半導體數據手冊PDF規(guī)格書

2N5306A
廠商型號

2N5306A
功能描述

SILICON TRANSISTORS
文件大小

120.44 Kbytes
頁面數量

1 頁
生產廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI【新澤西半導體】

中文名稱

新澤西半導體產品股份有限公司官網
原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-2-21 18:14:00
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晶體管資料

  • 型號：

    2N5306A

  • 別名：

    2N5306A三極管、2N5306A晶體管、2N5306A晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+Darl

  • 性質：

    低頻或音頻放大 （LF）_前置放大 （V）

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    25V

  • 最大電流允許值：

    0.3A

  • 最大工作頻率：

    60MHZ

  • 引腳數：

    3

  • 可代換的型號：

  • 最大耗散功率：

    0.4W

  • 放大倍數：

    β>7000

  • 圖片代號：

    A-20

  • vtest：

    25

  • htest：

    60000000

  • atest：

    0.3

  • wtest：

    0.4

2N5306A規(guī)格書詳情

Signal Transistor

Silicon Darlington Transistors

產品屬性

  • 型號：

    2N5306A

  • 制造商：

    GESS

  • 制造商全稱：

    GESS

  • 功能描述：

    SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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