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2N4919G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

2N4919G
廠商型號

2N4919G

參數(shù)屬性

2N4919G 封裝/外殼為TO-225AA,TO-126-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 60V 1A TO126

功能描述

Medium-Power Plastic PNP
TRANS PNP 60V 1A TO126

封裝外殼

TO-225AA,TO-126-3

文件大小

121.84 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-3 18:07:00

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2N4919G規(guī)格書詳情

2N4919G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的2N4919G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一,對于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號的應(yīng)用而言,它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

These medium?power, high?performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications.

Features

? Pb?Free Package is Available**

? Low Saturation Voltage ? VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A

? Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction,

PD = 30 W @ TC = 25°C

? Excellent Safe Operating Area

? Gain Specified to IC = 1.0 A

? Complement to NPN 2N4921, 2N4922, 2N4923

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    2N4919G

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    600mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 500mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    3MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-225AA,TO-126-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-126

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 1A TO126

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ON
24+/25+
200
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu)
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ON/安森美
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