2N4232A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
2N4232A |
| 參數(shù)屬性 | 2N4232A 包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：PNP TRANSISTOR |
| 功能描述 | COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS |
| 文件大小 |
95.36 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-28 17:45:00 |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
2N4232A三極管、2N4232A晶體管、2N4232A晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
50V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
>4MHZ
- 引腳數(shù)：
2
- 可代換的型號(hào)：
BD243A,BD539B,BD951,2N3054,3DD67C,
- 最大耗散功率：
75W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
E-44
- vtest：
50
- htest：
4000100
- atest：
5
- wtest：
75
2N4232A規(guī)格書詳情
COMPLEMENTARY SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTORS
..designed for general-purpose power amplifier and switching applications.
FEATURES:
* Low Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(sat)= 0.7 V (Max.) @ lc = 1.5A
* Excellent DCCurrent Gain hFE = 25-100 @ lc = 1.5 A
* LowLeakage Current- lcex =0.1 mA(Max)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
2N4232A
- 制造商：
Microchip Technology
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
散裝
- 描述：
PNP TRANSISTOR
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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