2N4126分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
2N4126 |
| 參數(shù)屬性 | 2N4126 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）；包裝為散裝；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 25V 0.2A TO92-3 |
| 功能描述 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） |
| 文件大小 |
31.38 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
1 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Samsung semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
SAMSUNG【三星】 |
| 中文名稱 | 三星半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-7-22 23:00:00 |
| 人工找貨 | 2N4126價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
2N4126規(guī)格書詳情
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
2N4126_S00Z
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
PNP
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
400mV @ 5mA，50mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
50nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 2mA，1V
- 頻率 - 躍遷：
250MHz
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA）
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-92-3
- 描述：
TRANS PNP 25V 0.2A TO92-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HGF/恒光發(fā) |
24+ |
NA/ |
10016 |
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詢價 | ||
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