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2N3997分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

2N3997
廠商型號(hào)

2N3997

參數(shù)屬性

2N3997 封裝/外殼為T(mén)O-111-4,接線柱;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:POWER BJT

功能描述

NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR

封裝外殼

TO-111-4,接線柱

文件大小

65.65 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microsemi美高森美

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-30 16:30:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    2N3997

  • 別名:

    2N3997三極管、2N3997晶體管、2N3997晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    開(kāi)關(guān)管 (S)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    特殊封裝

  • 極限工作電壓:

    100V

  • 最大電流允許值:

    5A

  • 最大工作頻率:

    >40MHZ

  • 引腳數(shù):

    4

  • 可代換的型號(hào):

    BLX19,2N1724,,2N5002,2N5004,2N5284,2N5285,3DK204B,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    F-3

  • vtest:

    100

  • htest:

    40000100

  • atest:

    5

  • wtest:

    30

2N3997規(guī)格書(shū)詳情

NPN POWER SWITCHING SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/374

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    2N3997

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 系列:

    Military, MIL-PRF-19500/374

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    2V @ 500mA,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 1A,2V

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    接線柱安裝

  • 封裝/外殼:

    TO-111-4,接線柱

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-111

  • 描述:

    POWER BJT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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